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IRLR014NPBF中文资料

IRLR014NPBF图片

IRLR014NPBF外观图

  • 大小：281.43KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A )
  • 标准包装：6,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：140 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：265pF @ 25V
  • 功率 - 最大：28W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRLR014NPBF

IRLR014NPBF供应商

更新时间:2023-01-18 02:29:38
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