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IRLR014NPBF中文资料

IRLR014NPBF图片

IRLR014NPBF外观图

  • 大小:281.43KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A )
  • 标准包装:6,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:7.9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:265pF @ 25V
  • 功率 - 最大:28W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRLR014NPBF

IRLR014NPBF供应商

更新时间:2023-01-18 02:29:38
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